ke článku "Ochrana proti přepólování a přepětí"
Napsal: 16 pro 2015, 23:53
Poznámka ke článku Ochrana proti přepólování a přepětí:
Tady je jednoduché zapojení, chránící proti přepólování (ale ne proti přepětí). Využívá toho, že MOSFETy mají nízký RDSon a tedy bude nižší úbytek napětí, než kdyby tam byla dioda nebo bipolární tranzistor, a díky diodě, která v nich je, se dají rovnou otevřít při správném připojení napájení a zavřít při obráceném. Funguje to tak, že když je zdroj zapojený dobře, tak pro P-MOSFET je gate dole, na source se napětí dostane přes diodu a FET bude otevřený, zatímco když by to někdo zapojil obráceně, tak gate bude vysoko a FET zůstane zavřený. Obráceně pro N-MOSFET. Ten je prý ještě lepší, pokud nevadí, že se přerušuje zem místo +, protože N fety mají ještě nižší RDSon než P fety a jsou levnější.
Není to z mojí hlavy, přečetl jsem si to v Application Report tady.
Tady je jednoduché zapojení, chránící proti přepólování (ale ne proti přepětí). Využívá toho, že MOSFETy mají nízký RDSon a tedy bude nižší úbytek napětí, než kdyby tam byla dioda nebo bipolární tranzistor, a díky diodě, která v nich je, se dají rovnou otevřít při správném připojení napájení a zavřít při obráceném. Funguje to tak, že když je zdroj zapojený dobře, tak pro P-MOSFET je gate dole, na source se napětí dostane přes diodu a FET bude otevřený, zatímco když by to někdo zapojil obráceně, tak gate bude vysoko a FET zůstane zavřený. Obráceně pro N-MOSFET. Ten je prý ještě lepší, pokud nevadí, že se přerušuje zem místo +, protože N fety mají ještě nižší RDSon než P fety a jsou levnější.
Není to z mojí hlavy, přečetl jsem si to v Application Report tady.