ke článku "Ochrana proti přepólování a přepětí"

Odpovědět
DavidO
Příspěvky: 1133
Registrován: 01 kvě 2013, 21:27

ke článku "Ochrana proti přepólování a přepětí"

Příspěvek od DavidO »

Poznámka ke článku Ochrana proti přepólování a přepětí:
Tady je jednoduché zapojení, chránící proti přepólování (ale ne proti přepětí). Využívá toho, že MOSFETy mají nízký RDSon a tedy bude nižší úbytek napětí, než kdyby tam byla dioda nebo bipolární tranzistor, a díky diodě, která v nich je, se dají rovnou otevřít při správném připojení napájení a zavřít při obráceném. Funguje to tak, že když je zdroj zapojený dobře, tak pro P-MOSFET je gate dole, na source se napětí dostane přes diodu a FET bude otevřený, zatímco když by to někdo zapojil obráceně, tak gate bude vysoko a FET zůstane zavřený. Obráceně pro N-MOSFET. Ten je prý ještě lepší, pokud nevadí, že se přerušuje zem místo +, protože N fety mají ještě nižší RDSon než P fety a jsou levnější.
Není to z mojí hlavy, přečetl jsem si to v Application Report tady.
Přílohy
ochrana.png
ochrana.png (709 bajtů) Zobrazeno 3982 x
Nikoho plánovaně neurážím. Jestli se Vám nelíbí co píšu, tak to nečtěte. A ostatně, třeba za to nemůžu - Researchers believe that dark humor can be a significant symptom of dementia.
jova
Příspěvky: 361
Registrován: 16 pro 2013, 11:40

Re: ke článku "Ochrana proti přepólování a přepětí"

Příspěvek od jova »

Jen bych doplnil.
Je třeba zvolit MOSFET podle napájecího napětí a jeho UGS.
Pokud je napájecí napětí vyšší, dá se to ošetřit např. takto:
Přílohy
1.png
1.png (4.18 KiB) Zobrazeno 3968 x
Odpovědět