Výklad datasheetu P-MOS

DavidO
Příspěvky: 712
Registrován: 01 kvě 2013, 21:27

Re: Výklad datasheetu P-MOS

Příspěvek od DavidO » 08 led 2019, 01:40

Dovolím si podotknout, že s tím, co napsal Daton v tom příspěvku o datasheetu, jinak souhlasím, neshodujeme se nejspíš jen co se týče té diody a jejího polopatického výkladu.

SOA graf (Graf 9) je podle mě to nejzásadnější pro první zkouknutí, jak se ta která součástka chová. Pak další detaily se dohledávají v těch ostatních a v tabulkách (které to obvykle ještě nějak svou přesnější specifikací omezují). Ale když se s použitím nevejdeš do tohohle grafu, tak v běžném případě ani nemá cenu součástku dál zvažovat (jako obvykle, jsou výjimky, teď ale myslím běžné použití, ne ty specialitky).

Obrázky 5 a 6 oba popisují RDSON; ten "normalized" znamená, jak se mění RDSON s teplotou, tj. násobek vůči hodnotě při 25°C, zatímco ten druhý ukazuje hodnotu v ohmech. Z toho normalizovaného se zdá, že ať už jsou VGS a ID jakákoli (resp. jakákoli rozumná), tak se to s teplotou mění víceméně stejně. To z toho druhého není tolik vidět, protože ukazuje jen dvě konkrétní dvojice hodnot a ty dvě křivky se liší.

Že některé grafy nebo tabulky vypadají, že vzájemně nesouhlasí, je obvykle proto, že jak všechno souvisí se vším, tak se nedá porovnávat jeden graf s jedním jiným, ale spíš bych to bral ve smyslu, že jeden graf ukazuje, jak se v téhle charakteristice součástka chová, a v tom se projeví vliv všech ostatních údajů v datasheetu a poznámek ke konkrétním podmínkám grafu/tabulky.

Odpovědět

Kdo je online

Uživatelé prohlížející si toto fórum: Žádní registrovaní uživatelé a 0 hostů