Výklad datasheetu P-MOS

michal001
Příspěvky: 13
Registrován: 19 pro 2018, 14:16

Výklad datasheetu P-MOS

Příspěvek od michal001 » 04 led 2019, 22:57

Vzhledem ke dvěma verzím katalogu DMG2305UX bych se rád věnoval tomu novějšímu (2018).
https://www.diodes.com/assets/Datasheets/DMG2305UX.pdf
https://www.tme.eu/cz/Document/79cbea1a ... 2305UX.pdf

Z Maximum Raitings pro mě plyne, že i když nevím pro jaký Uds mělo by jít bez většího oteplení vklidu trvale sepnout 3,3A.
Z Thermal Characteristics: Oteplení o 90 stupni na 1W při 2,54*2,54 chladící plošce.

V Electrical Characteristics je zajímavý ůdaj o RdsON i když se ale rozchází s tabulkou „Product Summary“ kde je 100mOhm a Id=3,6A a tady 3,4A což pořád nevím jesti závisí na Uds.

Obr.1 se mi potvrzuje Uds=1V, Id=18A, Ugs=3V ->50mOhm
Obr .3 je zajímavý ale nevím proč křivka Ugs=-4,5V neodpovídá křivce obr4 při Ta=25.
Také mi říká, že Id při dosattečném Ugs má vliv na RdsON jen velmi malý.

Obr.5,6 zde mi není jasné co znamená normalizované RdsON a v proč by mě to mělo zajímat když vedle je graf v Ohm.
Obr.8 stojí pro mě také za zmínku protože mi říká odpor zpětné diody což bych využil jako ochranu při spínání motoru.
Obr.9 je poslední a nejvíc mě neznámý obrzek (SOA) dokonce bych řekl že tento sem vůbec nepatří.
Měl by bát měřn při Us-10V což ale neodpovíd maximálním hodnotám a vždy jsem chápal že se stačí kouknout a hned zjsitím kolik si mohu dovolit než se součástka přehřeje. Ale zde se mi to nezdá, Pd=1,4W což by mělo být na bodě Uds=-10 a Id=-0,1 což není.
Proč nemohu dimenzovat výkonocou ztrátu jako RdsON*Is*Is ? a proč to neodpovídá tomuto grafu?

Prosím vysvětlete každou věc co jsem si vyložil chybně (ohmuv zakon by na tohle měl snad stačit předpokládám ale ale tomu tak není).

daton
Příspěvky: 506
Registrován: 16 bře 2013, 16:12

Re: Výklad datasheetu P-MOS

Příspěvek od daton » 05 led 2019, 21:25

No do tohohle se nikomu moc nechce a hlavně proto proto že jednak špatně chápeš datasheet alespoň z mého hlediska a jednak není tu prostor pro vysvětlování věcí které jsou základní ale v kontextu s datasheetem pro tebe nepochopitelné avšak vzhledem k tomu že nějaké znalosti máš tak trochu celkově zamotané.
Možná by jsi se měl vrátit k základům zvládnout je pak se pouštět do detailního luštění datasheetu třeba by stačilo vzít si obyčejný tranzistor třeba obdobu KC508 a udělat si vlastní grafy podobné datasheetu pak by jsi pochopil co tím chtěli jeho tvůrci říci.
Za prvé hodnoty které tam čteš jsou maximální přípustné to znamená že je tranzistor splní ale abych to parafrázoval s odřenýma ušima a někdy to nepřežije :-) ale to je můj soukromý názor o grafu 1.
Za druhé mnohdy je třeba správně interpretovat co daným grafem chtějí tvůrci říci obvykle popis pod obrázkem nemusí vystihovat to co tím bylo myšleno je třeba trochu zkušeností právě s měřením to je třeba případ obrázku 3 a 4 kdy v grafu 3 jde o to že když je Vgs na určité úrovni pak je při daném proudu odpor RDSON nějaký. Zatím co obr 4 ti říká jaký při dané teplotě a určitém proudu můžeš očekávat odpor RDSON. Samozřejmě to platí i obráceně.
Graf 9 který tak odmítáš je asi tím nejpropracovanějším co v datasheetu je. Říká jak lze tranzistor zatížit aby to vydržel a hlavně na jak dlouho ale opět mezní parametry.
Ale pro tebe je nejdůležitější to, že co čteš v datasheetu jsou mezní parametry a když něco navrhuješ neměl by jsi se k těm hranicím blížit nebo s nimi počítat jako s normálně funkčními. Jedna ze zásad automotiv je navrhnout si bezpečnostní meze zatížení polovodičů. Nikde to není znormované to si dělají výrobci sami a sami si i vytvářejí dané meze. Proto jsou výrobky spolehlivé do té míry do jaké jsou ochotni tito výrobci investovat za součástky s lepšími parametry, než jak je budou využívat.
Jen ještě poslední poznámku vnitřní dioda má chránit polovodič a proti špičkám vznikajícím v normálním zapojení a zpravidla je to abych to popsal dostatečně polopaticky něco jako druhotné využití struktury polovodiče, rozhodně to tam výrobci nevkládají s úmyslem jejího využití pro zachytávání špiček od motoru. Tak to nefunguje a takto nelze o těchto polovodičích ani přemýšlet.

DavidO
Příspěvky: 647
Registrován: 01 kvě 2013, 21:27

Re: Výklad datasheetu P-MOS

Příspěvek od DavidO » 06 led 2019, 00:38

Já k tomu nemám moc co dodat. Snažil jsem se naznačit směry.
Nicméně:
daton píše:
05 led 2019, 21:25
Jen ještě poslední poznámku vnitřní dioda má chránit polovodič a proti špičkám vznikajícím v normálním zapojení
NE A ZÁSADNĚ NE ! ! !
Doprčic, podívejte se (oba) na to, co to je FET a co to je ta dioda "tam uvnitř". To OPRAVDU NENÍ žádná ochrana.

daton
Příspěvky: 506
Registrován: 16 bře 2013, 16:12

Re: Výklad datasheetu P-MOS

Příspěvek od daton » 06 led 2019, 01:44

A dočetl jsi moji poznámku do konce Davide??? Já s tebou souhlasím jen jsem to chtěl podat polopaticky .. tedy hooodne zjednodušeně a možná jsem to přehnal tak doprcic taky nevytrhavej jen ty nevhodně formulované části vět a nemlat mi je o hlavu :D :D :D

michal001
Příspěvky: 13
Registrován: 19 pro 2018, 14:16

Re: Výklad datasheetu P-MOS

Příspěvek od michal001 » 06 led 2019, 10:47

Ano, o diodě v tranzistoru už mám jasno, děkuji.

Co se týče SOA víte někdo proč to tak je?
Jak spočítat výkon vzniklý na tranzistoru?
Ve grafu SOA možná hodně mimo otázka ale raději ze sebe udělám už úplného ... než mít možnost že tot ak není, -Vds (Drain-Source Voltage) to je napětí které spínám nebo napětí na tranzistoru v sepnutém stavu?

Ještě jedna věc, co ríká Obr.5 a hlavně jeho svislá osa?

Děkuji za trpělivost(snad bude i nadále).

DavidO
Příspěvky: 647
Registrován: 01 kvě 2013, 21:27

Re: Výklad datasheetu P-MOS

Příspěvek od DavidO » 06 led 2019, 12:20

daton píše:
06 led 2019, 01:44
A dočetl jsi moji poznámku do konce Davide??? Já s tebou souhlasím jen jsem to chtěl podat polopaticky .. tedy hooodne zjednodušeně a možná jsem to přehnal tak doprcic taky nevytrhavej jen ty nevhodně formulované části vět a nemlat mi je o hlavu :D :D :D
No, dočetl, byla mi sice trochu nesrozumitelná, ale nakonec jsem to dal. Ale i pak, co jsem si tím prokousal až na konec, tak nesouhlasím. Máš pravdu v tom, že diodu tam výrobce nevkládá na zachytávání špiček, to ano. Ale není tam ani proto, aby zachytávala nějaké jiné špičky "v normálním zapojení". Za jistých okolností může něco zachytit, ale to není její důvod ani účel. Ta dioda tam vzniká z principu konstrukce, protože je potřeba, aby parazitní tranzistor nikdy nesepnul (což by se mohlo stát, protože plave), a toho se dosáhne spojením body a source. No a to vytvoří diodu mezi drain a source, protože mezi body a drain je pn přechod. Čili ta dioda tam vzniká jako vedlejší efekt řešení většího problému, že tam je bipolární tranzistor, který, pokud by se nechal být, může celý power mosfet zničit.
Dále, s tou diodou se ve výkonových zapojení (tj. to není případ Michalova zapojení, takže jen na doplnění) musí počítat, protože dokonce může způsobit výrazné problémy. Je pomalá, a to pak znamená, že když parazitní tranzistor sepne, tak teče velký proud mezi D a S a to pak ten fet přehřeje a zničí.

daton
Příspěvky: 506
Registrován: 16 bře 2013, 16:12

Re: Výklad datasheetu P-MOS

Příspěvek od daton » 06 led 2019, 13:30

Hele mě to vysvětlovat nemusíš teorie a hlavně struktura těchto tranzistorů mi je dostatečně podrobně známá, když to ale takhle prodáš laikovi tak je to nesrozumitelné moje poznámka měla být jen přiblížením.
A nemáš pravdu že se tohoto efektu nevyužívá i v praxi sice ojedinělé ale viděl jsem konstrukce které tuto diodu využívaly (samozřejmě s jinými typy polovodičů než o ktarych je řeč zdei).
Ale vzhledem k malému pochopení mých příspěvků nebo spíš hledáním nedostatku v nich končím s touto dikusí

Uživatelský avatar
jrt
Příspěvky: 1361
Registrován: 17 úno 2013, 17:13

Re: Výklad datasheetu P-MOS

Příspěvek od jrt » 07 led 2019, 11:07

daton píše:
06 led 2019, 13:30
Ale vzhledem k malému pochopení mých příspěvků nebo spíš hledáním nedostatku v nich končím s touto dikusí
Datone, nenech prchlivost cloumat svým majestátem. Když se všichni budem víc snažit, abychom se nedejbože nikoho ani slovíčkem nedotkli než o to, aby byla základní fakta uvedena na pravou míru, tak se - doprčic - nikdy nikam nepohneme!
jrt
hobbyrobot.cz, profirobot.cz
edurobot.cz, robodoupe.cz

daton
Příspěvky: 506
Registrován: 16 bře 2013, 16:12

Re: Výklad datasheetu P-MOS

Příspěvek od daton » 07 led 2019, 19:04

No jo už chladnou, naštěstí Davida znám sice málo ale přeci abych věděl že už prostě takový je, ale stejně mne dokáže dobře našlápnout :D

Uživatelský avatar
jrt
Příspěvky: 1361
Registrován: 17 úno 2013, 17:13

Re: Výklad datasheetu P-MOS

Příspěvek od jrt » 07 led 2019, 22:07

A to je DavidO proti mě ještě mírný beránek... :D
jrt
hobbyrobot.cz, profirobot.cz
edurobot.cz, robodoupe.cz

Odpovědět

Kdo je online

Uživatelé prohlížející si toto fórum: Žádní registrovaní uživatelé a 1 host